L=ålI=26,51*10-6
Таблица 2.6.3. Плата питания ИМ
Наименование и тип элемента
Обозначение по чертежу
Количество
Ni
Интенсивность отказа при номинальном режиме
l0i *10-6 1/ч
Режим работы
Поправочный
Коэффициент
Аi
Интенсивность отказов i-го элемента
Аi * loi *10-6, 1/ч
Интенсивность отказа изделия
Из-за элементов i-го типа
Ni * Ai * loi * 10-6, 1/ч
Коэф-т нагрузки Кн
Температура рабочая Т,о С
Микросхемы:
КР142ЕН9Е
КР142ЕН9Д
D1
D2
1
0,1
0,5
40
Резисторы:
С5–16МВ-5Вт – 5,1 Ом±1%
С5–16МВ-2Вт – 0,1 Ом±1%
С5–33Н – 0,5–3,0
кОм±5%-А-Д
R1, R2,
R3, R4
R5, R6
2
0,04
0,004
0,008
Конденсаторы:
К50–24–63В-2200 мкФ±80
К73–11–250В – 0,33 мкФ±10%
К50–24–63В-100 мкФ
С1, С2
С3, С4
С5, С6
0,135
0,035
0,9
0,1215
0,0315
0,243
0,063
Диод полупроводниковый КД227А
Транзистор КТ818В
Светодиод АЛ307КМ
Вилка СНП58–64/94х-9В-23–2–0
Пайка
Провода
V1…V8
V9…V12
V13,V14
X1, X2
8
4
64
31
0,2
0.01
0,015
0,8
1,19
0.238
0,45
0,238
0,01
1,904
1,8
0,476
0,02
0,256
0,465
L=ålI=2,773*10-6
Таблица 2.6.4. ПЛАТА ПИТАНИЯ МС
КР142ЕН8Е
КР142ЕН8Д
КР142ЕН5А
D1, D3
D2, D5
D4
С2–33Н – 0,125–3 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,125–820Ом±5%-А-Д
С2–33Н – 0,125–3,9кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,125–10кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,125–75кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,125–4,7кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,125–3,3 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,125–330Ом±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–160 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–8,2 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,5–510 Ом±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–560Ом±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–240 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,5–2 Ом±5%-А-Д
СП5–22В-1Вт – 1,5 кОм±10%
СП5–22В-1Вт-10 кОм±10%
СП5–22В-1Вт – 1,0 кОм±10%
Диоды:
Полупроводниковый КД227А
Полупроводниковый КД209А
Транзистор КТ818Б
R1, R2, R9, R10
R3, R19, R29…R31, R33, R34, R36, R42, R46, R53…R55
R4, R5
R6, R8
R11, R12
R13..R15, R17, R18, R28, R77…R82
R20
R21…R26,
R47…R52
R37
R38
R39
R65…R70
R71…R76
R82…R88
R7
R5, R16, R35, R40, R41
R27
V1…V4
V5…V16
V17, V18
V19…V23
13
12
5
7
93
46
0,053
2,5
0,3
0,0159
0,4
1,3
1,2
0,7
0,0795
0,952
2,856
0,372
0,69
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
